- د حجرو پیژندنه
(۱) کتنه:حجرې د دې اصلي برخې ديد فوټوولټیک بریښنا تولید، او د دوی تخنیکي لارې او پروسې کچه په مستقیم ډول د بریښنا تولید موثریت او د فوتوولټیک ماډلونو خدمت ژوند اغیزه کوي.د فوتوولټیک حجرې د فوټوولټیک صنعت سلسلې په مینځ کې موقعیت لري.دا د سیمی کنډکټر پتلی شیټونه دي چې کولی شي د لمر وړانګې انرژي په بریښنایی انرژي بدله کړي چې د واحد / پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو پروسس کولو سره ترلاسه کیږي.
د اصولود فوټوولټیک بریښنا تولیدد سیمی کنډکټرونو د فوتو الیکټریک اثر څخه راځي.د روښانتیا له لارې، یو احتمالي توپیر د یو شان سیمی کنډکټرونو یا سیمیکمډکټرونو د بیلابیلو برخو ترمنځ د فلزاتو سره یوځای رامینځته کیږي.دا له فوټون (رڼا څپو) څخه په الکترونونو او رڼا انرژي په بریښنایی انرژي بدلیږي ترڅو ولتاژ رامینځته کړي.او اوسنی بهیر.د سیلیکون ویفرونه چې په اپ سټریم لینک کې تولید شوي بریښنا نشي ترسره کولی ، او پروسس شوي سولر حجرې د فوټوولټیک ماډلونو بریښنا تولید ظرفیت ټاکي.
(۲) طبقه بندي:د سبسټریټ ډول له نظره، حجرې په دوه ډوله ویشل کیدی شي:د P-ډول حجرې او N-ډول حجرې.په سیلیکون کرسټالونو کې د بورون ډوپینګ کولی شي د P ډول سیمیکمډکټرونه رامینځته کړي.ډوپینګ فاسفورس کولی شي د N-ډول سیمیکمډکټرونه جوړ کړي.د P-ډول بیټرۍ خام مواد د P-type سیلیکون ویفر (د بورون سره ډوپ شوی) دی، او د N-type بیټرۍ خام مواد د N-type سیلیکون ویفر (د فاسفورس سره ډوپ شوی) دی.د P ډول حجرو کې په عمده توګه BSF (د دودیز المونیم شاته فیلډ سیل) او PERC (پاسیویټ ایمیټر او شاته حجره) شامل دي؛د N-ډول حجرې اوس مهال ډیر اصلي ټیکنالوژي ديTOPCon(Tunneling oxide layer passivation contact) او HJT (Intrinsic thin film Hetero junction).د N-type بیټرۍ د الکترونونو له لارې بریښنا ترسره کوي، او د بوران-اکسیجن اتوم جوړه له امله د رڼا هڅول کمه ده، نو د فوتو الیکټریک تبادلې موثریت لوړ دی.
3. د PERC بیټرۍ پیژندنه
(1) عمومي کتنه: د PERC بیټرۍ بشپړ نوم "ایمیټر او بیک پاسیویشن بیټرۍ" دی ، کوم چې په طبیعي ډول د دودیز المونیم بیک فیلډ بیټرۍ AL-BSF جوړښت څخه اخیستل شوی.د ساختماني نقطه نظر څخه، دواړه نسبتا ورته دي، او د PERC بیټرۍ یوازې د BSF بیټرۍ (د پخوانی نسل بیټرۍ ټیکنالوژۍ) په پرتله یو ډیر شاته پاسیویشن پرت لري.د شا د پاسیویشن سټیک رامینځته کول د PERC حجرې ته اجازه ورکوي چې د شا سطحې د بیا ترکیب سرعت کم کړي پداسې حال کې چې د شاتنۍ سطحې د رڼا انعکاس ته وده ورکوي او د حجرې تبادلې موثریت ښه کوي.
(2) د پراختیا تاریخ: له 2015 راهیسې، کورني PERC بیټرۍ د چټکې ودې مرحلې ته ننوتلې.په 2015 کې، د کورني PERC بیټرۍ تولید ظرفیت په نړۍ کې لومړی ځای ته ورسید، چې د نړیوال PERC بیټرۍ تولید ظرفیت 35٪ جوړوي.په 2016 کې، د "فوټوولټیک ټاپ رنر پروګرام" د ملي انرژی ادارې لخوا پلي شوی، په چین کې د PERC حجرو صنعتي ډله ایز تولید رسمي پیل پیل کړ، د اوسط موثریت 20.5٪ سره.2017 د بازار ونډې لپاره یو مهم ټکی دیفوتوولټیک حجرې.د دودیزو حجرو بازار ونډه کمیدل پیل کړل.د کورني PERC سیل بازار ونډه 15٪ ته لوړه شوې، او د تولید ظرفیت یې 28.9GW ته لوړ شوی؛
د 2018 راهیسې، د PERC بیټرۍ په بازار کې اصلي جریان ګرځیدلی.په 2019 کې، د PERC حجرو لویه پیمانه تولید به ګړندی شي، د 22.3٪ ډله ایز تولید موثریت سره، د تولید ظرفیت 50٪ څخه ډیر حساب کوي، په رسمي توګه د BSF حجرو څخه تیریږي ترڅو د فوټوولټیک سیل ټیکنالوژۍ ترټولو اصلي جریان شي.د CPIA د اټکلونو له مخې، تر 2022 پورې، د PERC حجرو د ډله ایز تولید موثریت به 23.3٪ ته ورسیږي، او د تولید ظرفیت به د 80٪ څخه زیات حساب کړي، او د بازار ونډه به لاهم لومړی درجه وي.
4. د TOPcon بیټرۍ
(1) توضیحات:د TOPCon بیټرۍيعنې د تونلينګ آکسايډ پرت د پاسويوشن تماس حجره، د بيټرۍ په شا کې د الټرا پتلي تونلينګ آکسايډ پرت او د لوړ ډوپ شوي پولسيليکون پتلي پرت سره چمتو شوې، چې په ګډه د پاسويوشن تماس جوړښت جوړوي.په 2013 کې، دا په آلمان کې د فرون هوفر انسټیټیوټ لخوا وړاندیز شوی و.د PERC حجرو سره پرتله کول، یو د سبسټریټ په توګه د n-ډول سیلیکون کارول دي.د p-type سیلیکون حجرو سره په پرتله، n-type سیلیکون اوږد اقلیمي کیریر ژوند، د لوړ تبادلې موثریت، او ضعیف رڼا لري.دوهم د پاسیویشن پرت (د الټرا پتلی سیلیکون آکسایډ SiO2 او ډوپ پولی سیلیکون پتلی پرت Poly-Si) په شا کې چمتو کول دي ترڅو د تماس پاسیویشن جوړښت رامینځته کړي چې په بشپړ ډول د ډوپ شوې سیمه له فلز څخه جلا کوي ، کوم چې کولی شي شاته نور هم کم کړي. سطحهد سطحې او فلزاتو تر مینځ د لږکیو کیریر بیا ترکیب احتمال د بیټرۍ تبادلې موثریت ته وده ورکوي.
د پوسټ وخت: اګست-29-2023